STL19N60DM2 دیتاشیت

STL19N60DM2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STL19N60DM2
حجم فایل 211.915 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت STL19N60DM2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ DM2
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
  • Package / Case: 8-PowerVDFN
  • Base Part Number: STL19
  • detail: N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

محصولات مشابه